深圳新聞網(wǎng)2025年12月18日訊（深圳商報首席記者 王海榮 通訊員 平信）12月16日，記者從深圳平湖實驗室獲悉，該實驗室研發(fā)團隊在低壓（15V-40V）氮化鎵（GaN）功率器件領(lǐng)域取得突破性進展，成功研制出高性能低壓 GaN E-HEMT（增強型高電子遷移率晶體管）器件，關(guān)鍵性能達到國際先進水平，為高效、高功率密度計算芯片供電提供全新解決方案。

當(dāng)前，隨著人工智能的快速發(fā)展，計算芯片對供電系統(tǒng)在效率與功率密度方面提出了更高要求。傳統(tǒng)硅基功率器件在性能提升上已逐漸接近物理極限，而作為寬禁帶半導(dǎo)體代表之一的GaN器件，憑借其高電子遷移率、高速開關(guān)等特性，被視為下一代高效功率轉(zhuǎn)換的核心。然而，在低壓應(yīng)用場景中，GaN器件的成本與性能優(yōu)勢尚未完全顯現(xiàn)，成為制約其大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸。

面對這一挑戰(zhàn)，深圳平湖實驗室低壓氮化鎵研發(fā)團隊依托實驗室先進的8英寸硅基GaN科研中試平臺，先后攻克了一系列關(guān)鍵技術(shù)難題，成功研制出高性能15V-40V GaN E-HEMT器件。其中代表性的25V器件的關(guān)鍵參數(shù)達到國際先進水平，大幅突破傳統(tǒng)硅基技術(shù)的性能極限。